Name: PJQ4443P_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND
Price: 1.0648 EUR
Availability: InStock

PJQ4443P_R2_00001
N.º de producto de DigiKey	3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJQ4443P_R2_00001CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJQ4443P_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJQ4443P_R2_00001
Descripción	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 8.8A (Ta), 46A (Tc) 2.1W (Ta), 59.5W (Tc) DFN3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Panjit International Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.8A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2767 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	PJQ4443

Precio unitario sin IVA:	0,88000 €
Precio unitario con IVA:	1,06480 €

PJQ4443P_R2_00001