Name: PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1TR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

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PJQ4476AP-AU_R2_000A1
N.º de producto de DigiKey	3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Descripción	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Plazo estándar del fabricante	34 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 6.3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) DFN3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Panjit International Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.3A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1519 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	PJQ4476