Name: PJD50N10AL_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD50N10AL_L2_00001TR-ND
Price: 1.3673 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 6.3H (Ta), 42H (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) TO-252AA

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PJD50N10AL_L2_00001
N.º de producto de DigiKey	3757-PJD50N10AL_L2_00001TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJD50N10AL_L2_00001CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJD50N10AL_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJD50N10AL_L2_00001
Descripción	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 6.3H (Ta), 42H (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Panjit International Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1485 pF @ 30 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 83W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.3H (Ta), 42H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25mOhm a 20A, 10V	Número de producto base PJD50