Name: PJB120P04E-AU_R2_002A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1TR-ND
Price: 3.1944 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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PJB120P04E-AU_R2_002A1
N.º de producto de DigiKey	3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJB120P04E-AU_R2_002A1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJB120P04E-AU_R2_002A1
Descripción	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 20A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) TO-263AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Panjit International Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.2mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB