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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
NXVF6532M3TG01 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NXVF6532M3TG01-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXVF6532M3TG01 |
Descripción | SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 650V 31A (Tc) 65.2W (Tj) Orificio pasante APM16 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 31A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 44mOhm a 15A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 7.5mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 58nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1215pF a 400V | |
Potencia - Máx. | 65.2W (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete / Caja (carcasa) | Placa descubierta 13-SSIP, conductores formados | |
Paquete del dispositivo del proveedor | APM16 |
En stock: 71
DigiKey no puede aceptar pedidos en espera en este momento debido a un abastecimiento limitado temporal.
Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 20,91000 € | 20,91 € |
| Precio unitario sin IVA: | 20,91000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 25,30110 € |
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