
NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Fabricante | onsemi |
Número de pieza del fabricante | NXH015F120M3F1PTG |
Descripción | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 77A (Tc) 198W (Tj) Montaje de chasis 22-PIM (33.8x42.5) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | Modo de exclusión | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 77A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 19mOhm a 60A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 30mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 211nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4696pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 198W (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 22-PIM (33.8x42.5) | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 58,79000 € | 58,79 € |
| 28 | 44,91250 € | 1.257,55 € |
| Precio unitario sin IVA: | 58,79000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 71,13590 € |




