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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
NXH008P120M3F1PTG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NXH008P120M3F1PTG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXH008P120M3F1PTG |
Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 145A (Tc) 382W (Tj) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 145A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 10.9mOhm a 120A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 60mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 419nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 8334pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 382W (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - | |
Número de producto base |
En stock: 22
Stock de fábrica: 16.296
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 88,38000 € | 88,38 € |
| 28 | 69,44893 € | 1.944,57 € |
| Precio unitario sin IVA: | 88,38000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 106,93980 € |
