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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
NTTFD1D8N02P1E | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NTTFD1D8N02P1E |
Descripción | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Plazo estándar del fabricante | 41 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Montaje en superficie 8-PQFN (3.3x3.3) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | ||
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canal N (dual), asimétrico | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 11A (Ta), 21A (Ta) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 4.2mOhm a 15A, 10V, 1.4mOhm a 29A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2V a 190µA, 2V a 310µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 5.5nC a 4.5V, 17nC a 4.5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 873pF a 15V, 2700pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 800mW (Ta), 900mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-PowerWDFN | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (3.3x3.3) |
En stock: 2.980
Stock de fábrica: 27.000
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Granel
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,91000 € | 1,91 € |
| 10 | 1,22400 € | 12,24 € |
| 100 | 0,83190 € | 83,19 € |
| 500 | 0,66412 € | 332,06 € |
| 1.000 | 0,61018 € | 610,18 € |
| 3.000 | 0,54171 € | 1.625,13 € |
| 6.000 | 0,52375 € | 3.142,50 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,91000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,31110 € |
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