Name: NTMD6P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6P02R2GOSTR-ND
Price: 1.8997 EUR
Availability: InStock

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NTMD6P02R2G
N.º de producto de DigiKey	NTMD6P02R2GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTMD6P02R2GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTMD6P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMD6P02R2G
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 4.8A 750mW Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMD6P02R2G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.8A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	33mOhm a 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1700pF a 16V
Potencia - Máx.	750mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	NTMD6