Name: NSVMUN5211DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN5211DW1T3GOSTR-ND
Price: 0.3025 EUR
Availability: OutOfStock

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NSVMUN5211DW1T3G
N.º de producto de DigiKey	NSVMUN5211DW1T3GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NSVMUN5211DW1T3GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NSVMUN5211DW1T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NSVMUN5211DW1T3G
Descripción	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos prepolarizados 2 NPN - Prepolarizados (dobles) 50V 100mA 250mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NSVMUN5211DW1T3G Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arreglos del transistor bipolar, prepolarizados	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Fabricante onsemi	Corriente - Corte de colector (Máx.) 500nA
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 250mW
Estado de pieza Activo	Grado Uso automotriz
Tipo de transistor 2 NPN - Prepolarizados (dobles)	Calificación AEC-Q101
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50V	Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistor - Base (R1) 10kOhm	Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base del emisor (R2) 10kOhm	Número de producto base MUN5211
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 35 a 5mA, 10V

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