Name: MJD122T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD122T4GOSTR-ND
Price: 1.4883 EUR
Availability: InStock

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MJD122T4G
N.º de producto de DigiKey	MJD122T4GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) MJD122T4GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) MJD122T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	MJD122T4G
Descripción	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Montaje en superficie DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	MJD122T4G Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares simples	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 1000 a 4A, 4V
Fabricante onsemi	Potencia - Máx. 1.75 W
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Frecuencia - Transición 4MHz
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de transistor NPN - Darlington	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 8 A	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 4V a 80mA, 8A	Número de producto base MJD122
Corriente - Corte de colector (Máx.) 10µA