PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | FET simple, MOSFET

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PMV65XPEA215
N.º de producto de DigiKey	2156-PMV65XPEA215-ND
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV65XPEA215
Descripción	P-CHANNEL MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 2.8H (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9 nC @ 4.5 V
Fabricante NXP USA Inc.	Vgs (máx.) ±12V
Embalaje Granel	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 618 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.8H (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 78mOhm a 2.8A, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (máx) a Id 1.25V a 250µA

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PMV65XPEA215