Name: PMCM6501VPEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Price: 0.64793 EUR
Availability: InStock

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PMCM6501VPEZ
N.º de producto de DigiKey	2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Fabricante	NXP Semiconductors
Número de pieza del fabricante	PMCM6501VPEZ
Descripción	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) 6-WLCSP (1.48x0.98)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	NXP Semiconductors
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WLCSP (1.48x0.98)
Paquete / Caja (carcasa)	6-XFBGA, WLCSP