Name: PSMN4R2-80YSEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN4R2-80YSEXTR-ND
Price: 4.5133 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

PSMN4R2-80YSEX
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN4R2-80YSEXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN4R2-80YSEXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN4R2-80YSEXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN4R2-80YSEX
Descripción	PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 170A (Tc) 294W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	170A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.2mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8000 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	294W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK