PSMN4R2-60PLQ Nexperia USA Inc. | Productos de semiconductores discretos

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PSMN4R2-60PLQ
N.º de producto de DigiKey	1727-1059-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN4R2-60PLQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 130A (Tc) 263W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	130A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.9mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	151 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8533 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	PSMN4R2

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