Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 7.4052 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN2R3-100SSEJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN2R3-100SSEJ
Descripción	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) LFPAK88 (SOT1235)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PSMN2R3-100SSEJ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17200 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 341W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 255A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK88 (SOT1235)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-1235
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.2mOhm a 25A, 10V	Número de producto base PSMN2R3