Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 3.4848 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

PSMN1R7-40YLDX
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R7-40YLDX
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Tc) 194W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.05V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7966 pF @ 20 V
Característica de FET	Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)	194W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669
Número de producto base	PSMN1R7