Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 2.9403 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R7-40YLDX
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R7-40YLDX
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Tc) 194W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.05V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 109 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7966 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 194W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) SC-100, SOT-669
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm a 25A, 10V	Número de producto base PSMN1R7