Name: G3F33MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F33MT06L-TR-ND
Price: 15.3912 EUR
Availability: InStock

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G3F33MT06L-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G3F33MT06L-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G3F33MT06L-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G3F33MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3F33MT06L-TR
Descripción	650V 27M TO-LL G3F SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 90A (Tc) 333W (Tc) TOLL
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	38mOhm a 26A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2394 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN