Name: G3F25MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 21.9373 EUR
Availability: InStock

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G3F25MT12J-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G3F25MT12J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G3F25MT12J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3F25MT12J-TR
Descripción	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 87A (Tc) 362W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 128 nC @ 18 V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (máx.) +22V, -10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3325 pF @ 800 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 362W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 87A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 34A, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Vgs(th) (máx) a Id 4.3V a 24mA