Name: TP2635N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TP2635N3-G-ND
Price: 2.0812 EUR
Availability: InStock

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TP2635N3-G
N.º de producto de DigiKey	TP2635N3-G-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de pieza del fabricante	TP2635N3-G
Descripción	MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) TO-92-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TP2635N3-G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Microchip Technology
Serie	-
Embalaje	Bolsa
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	350 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15Ohm a 300mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base	TP2635