Canal P Orificio pasante 40 V 430mA (Tj) 740mW (Ta) TO-92-3
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TP0604N3-G

N.º de producto de DigiKey
TP0604N3-G-ND
Fabricante
Microchip Technology
Número de pieza del fabricante
TP0604N3-G
Descripción
MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante
4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Orificio pasante 40 V 430mA (Tj) 740mW (Ta) TO-92-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TP0604N3-G Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Microchip Technology
Serie
-
Embalaje
Bolsa
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
430mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.4V a 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
150 pF @ 20 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
TP0604
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