Canal N Orificio pasante 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) TO-92-3
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2N7000-G

N.º de producto de DigiKey
2N7000-G-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
2N7000-G
Descripción
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante
7 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) TO-92-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
2N7000-G Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 1mA
Fabricante
Vgs (máx.)
±30V
Embalaje
Bolsa
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
60 pF @ 25 V
Estado de pieza
Activo
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Tc)
Tipo FET
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
Tipo de montaje
Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete / Caja (carcasa)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Número de producto base
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5Ohm a 500mA, 10V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
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Bolsa
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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250,35680 €8,92 €
1000,31450 €31,45 €
Precio unitario sin IVA:0,42000 €
Precio unitario con IVA:0,50820 €