Name: IXTY2N100P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY2N100P-ND
Price: 4.6101 EUR
Availability: OutOfStock

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Canal N Montaje en superficie 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) TO-252AA

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IXTY2N100P
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY2N100P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY2N100P
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	655 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY2

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	3,81000 €	3,81 €
70	1,86457 €	130,52 €
140	1,69979 €	237,97 €
560	1,44448 €	808,91 €
1.050	1,35489 €	1.422,63 €
2.030	1,33431 €	2.708,65 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.