Name: IXTY1R6N50D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N50D2-ND
Price: 4.8158 EUR
Availability: InStock

IXTY1R6N50D2
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY1R6N50D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY1R6N50D2
Descripción	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Depletion
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3Ohm a 800mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	645 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IXTY1

Precio unitario sin IVA:	3,98000 €
Precio unitario con IVA:	4,81580 €

IXTY1R6N50D2