Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 5.6507 EUR
Availability: OutOfStock

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AOD2N100

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 1.6H (Tc) 100W (Tc) TO-252AA

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IXTY1R6N100D2
N.º de producto de DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTY1R6N100D2
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 1.6H (Tc) 100W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXTY1R6N100D2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC @ 5 V
Fabricante IXYS	Vgs (máx.) ±20V
Serie Depletion	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 645 pF @ 25 V
Embalaje Tubo	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Tipo de montaje Montaje en superficie
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.6H (Tc)	Número de producto base IXTY1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10Ohm a 800mA, 0V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
AOD2N100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2N100-ND	0,55102 €	Similar

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1	4,67000 €	4,67 €
70	2,32500 €	162,75 €
140	2,12579 €	297,61 €
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1.050	1,70915 €	1.794,61 €
2.030	1,61534 €	3.279,14 €

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