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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IXTP8N65X2M | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTP8N65X2M |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 41 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) TO-220 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 550mOhm a 4A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 800 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 32W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 12
Stock de fábrica: 1.450
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,50000 € | 3,50 € |
| 50 | 1,78280 € | 89,14 € |
| 100 | 1,61680 € | 161,68 € |
| 500 | 1,32580 € | 662,90 € |
| 1.000 | 1,23235 € | 1.232,35 € |
| 2.000 | 1,18953 € | 2.379,06 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,50000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,23500 € |
España