Name: IXTP6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP6N100D2-ND
Price: 12.5961 EUR
Availability: InStock

Canal N, modo de implementación Orificio pasante 1000 V 6H (Tc) 300W (Tc) TO-220-3

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IXTP6N100D2
N.º de producto de DigiKey	238-IXTP6N100D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTP6N100D2
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Orificio pasante 1000 V 6H (Tc) 300W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC @ 5 V
Fabricante IXYS	Vgs (máx.) ±20V
Serie Depletion	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2650 pF @ 25 V
Embalaje Tubo	Disipación de potencia (Máx.) 300W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Tipo de montaje Orificio pasante
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6H (Tc)	Número de producto base IXTP6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.2Ohm a 3A, 0V

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	10,41000 €	10,41 €
50	5,85780 €	292,89 €
100	5,41950 €	541,95 €
500	4,67116 €	2.335,58 €

Paquete estándar del fabricante

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