Name: IXTP3N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTP3N100P-ND
Price: 5.7717 EUR
Availability: OutOfStock

IXTP3N100P
N.º de producto de DigiKey	IXTP3N100P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTP3N100P
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar P3™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.8Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IXTP3

Precio unitario sin IVA:	4,77000 €
Precio unitario con IVA:	5,77170 €

IXTP3N100P