Name: IXTP02N120P
Brand: IXYS
SKU: IXTP02N120P-ND
Price: 3.6179 EUR
Availability: InStock

IXTP02N120P
N.º de producto de DigiKey	IXTP02N120P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTP02N120P
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	75Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	104 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IXTP02

Precio unitario sin IVA:	2,99000 €
Precio unitario con IVA:	3,61790 €

IXTP02N120P