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IXTN22N100L está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
Reemplazos disponibles:
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IXTN22N100L | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXTN22N100L-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTN22N100L |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje de chasis 1000 V 22A (Tc) 700W (Tc) SOT-227B |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 600mOhm a 11A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 270 nC @ 15 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7050 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 700W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 49,62000 € | 49,62 € |
| 10 | 37,82500 € | 378,25 € |
| 100 | 36,52150 € | 3.652,15 € |
| Precio unitario sin IVA: | 49,62000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 60,04020 € |
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