IXTM11N80 IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXTM11N80
N.º de producto de DigiKey	IXTM11N80-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTM11N80
Descripción	MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) TO-204AA (IXTM)

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	GigaMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	950mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-204AA (IXTM)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-204AA, TO-3
Número de producto base	IXTM11

IXTM11N80