IXTH64N65X IXYS | FET simple, MOSFET

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IXTH64N65X
N.º de producto de DigiKey	IXTH64N65X-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH64N65X
Descripción	MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 64H (Tc) 890W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 143 nC @ 10 V
Serie Ultra X	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 890W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 64H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXTH64
Rds On (máx) @ Id, Vgs 51mOhm a 32A, 10V

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Recursos adicionales

Sustitutos (4)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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Obsoleto

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IXTH64N65X