IXTH64N65X es obsoleto y ya no se fabrica.
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Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) TO-247 (IXTH)
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IXTH64N65X

N.º de producto de DigiKey
IXTH64N65X-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXTH64N65X
Descripción
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) TO-247 (IXTH)
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
Ultra X
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
51mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5500 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IXTH64
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Obsoleto
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