IXTH52N65X IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXTH52N65X
N.º de producto de DigiKey	IXTH52N65X-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTH52N65X
Descripción	MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXTH52N65X Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Ultra X
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	52A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	68mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	660W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXTH52