Name: IXTA2N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTA2N100P-ND
Price: 2.44065 EUR
Availability: OutOfStock

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STD3NK100Z

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Canal N Montaje en superficie 1000 V 2H (Tc) 86W (Tc) TO-263AA

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IXTA2N100P
N.º de producto de DigiKey	IXTA2N100P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA2N100P
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1000 V 2H (Tc) 86W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 100µA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24.3 nC @ 10 V
Serie Polar	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 655 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 86W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXTA2
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.5Ohm a 500mA, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STD3NK100Z	STMicroelectronics	5.163	497-7967-1-ND	2,90000 €	Similar

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