Name: IXTA1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1N200P3HV-ND
Price: 10.0914 EUR
Availability: InStock

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IXTA1N200P3HV
N.º de producto de DigiKey	IXTA1N200P3HV-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA1N200P3HV
Descripción	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IXTA1N200P3HV Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Polar P3™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	2000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	646 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IXTA1

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	8,34000 €	8,34 €
50	4,84720 €	242,36 €
100	4,57600 €	457,60 €
500	4,19882 €	2.099,41 €

Paquete estándar del fabricante

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