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IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFT18N100Q3 |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Plazo estándar del fabricante | 26 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 1000 V 18H (Tc) 830W (Tc) TO-268AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 6.5V a 4mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4890 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 830W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-268AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 660mOhm a 9A, 10V |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 300 | 16,17433 € | 4.852,30 € |
| Precio unitario sin IVA: | 16,17433 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 19,57094 € |
Para usar con
1 Productos
