IXFQ50N60X IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXFQ50N60X
N.º de producto de DigiKey	IXFQ50N60X-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFQ50N60X
Descripción	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) TO-3P

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	73mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4660 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	660W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	IXFQ50