Name: IXFN66N85X
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFN66N85X-ND
Price: 45.9074 EUR
Availability: InStock

IXFN66N85X
N.º de producto de DigiKey	238-IXFN66N85X-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFN66N85X
Descripción	MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) SOT-227B
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	850 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base	IXFN66

Precio unitario sin IVA:	37,94000 €
Precio unitario con IVA:	45,90740 €

IXFN66N85X