IXFH14N60P3 IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXFH14N60P3
N.º de producto de DigiKey	IXFH14N60P3-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH14N60P3
Descripción	MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 14A (Tc) 327W (Tc) TO-247AD (IXFH)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	540mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1480 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	327W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXFH14

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