FII30-12E IXYS | Arreglos IGBT

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FII30-12E
N.º de producto de DigiKey	FII30-12E-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	FII30-12E
Descripción	IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Matriz NPT Medio puente 1200 V 33 A 150 W Orificio pasante ISOPLUS i4-PAC™
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT Arreglos IGBT	Corriente - Corte de colector (Máx.) 200 µA
Fabricante IXYS	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce 1.2 nF @ 25 V
Embalaje Tubo	Entrada Estándar
Estado de pieza Obsoleto	Termistor NTC No
Tipo IGBT NPT	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Medio puente	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 1200 V	Paquete / Caja (carcasa) i4-Pac™-5
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 33 A	Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS i4-PAC™
Potencia - Máx. 150 W	Número de producto base FII30
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9V a 15V, 20A

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Documentos y medios

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