SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

SPD09P06PLGBTMA1
N.º de producto de DigiKey	SPD09P06PLGBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPD09P06PLGBTMA1
Descripción	MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPD09P06PLGBTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	250mOhm a 6.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	450 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SPD09P06

Precio unitario sin IVA:	0,31826 €
Precio unitario con IVA:	0,38509 €

SPD09P06PLGBTMA1