Name: SPD08N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD08N50C3ATMA1TR-ND
Price: 1.2584 EUR
Availability: InStock

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SPD08N50C3ATMA1
N.º de producto de DigiKey	SPD08N50C3ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPD08N50C3ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPD08N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPD08N50C3ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPD08N50C3ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 4.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	750 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SPD08N50