Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 4.9247 EUR
Availability: OutOfStock

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SPB80P06PGATMA1
N.º de producto de DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPB80P06PGATMA1
Descripción	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 80H (Tc) 340W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPB80P06PGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5033 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 340W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23mOhm a 64A, 10V	Número de producto base SPB80P06
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 5.5mA