Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 5.7233 EUR
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
N.º de producto de DigiKey	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPB21N50C3ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPB21N50C3ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 560 V 21H (Tc) 208W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPB21N50C3ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 1mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 560 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SPB21N50
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 13.1A, 10V

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	4,73000 €
Precio unitario con IVA:	5,72330 €

SPB21N50C3ATMA1