Name: ISZ810P06LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

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ISZ810P06LMATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISZ810P06LMATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISZ810P06LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISZ810P06LMATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 19.5A (Tc) 83W (Tc) PG-TSDSON-8-26
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISZ810P06LMATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	81mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 724µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-26
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN