Name: IST026N10NM5AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND
Price: 4.8037 EUR
Availability: OutOfStock

IST026N10NM5AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IST026N10NM5AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IST026N10NM5AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IST026N10NM5AUMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 3.8W (Ta), 313W (Tc) PG-HSOF-5-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IST026N10NM5AUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Ta), 248A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.6mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 148µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6300 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-5-4
Paquete / Caja (carcasa)	5-PowerSFN
Número de producto base	IST026N

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.000	1,32946 €	2.658,92 €
4.000	1,29674 €	5.186,96 €

Precio unitario sin IVA:	3,97000 €
Precio unitario con IVA:	4,80370 €

IST026N10NM5AUMA1