Name: ISS55EP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND
Price: 0.2541 EUR
Availability: InStock

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ISS55EP06LMXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISS55EP06LMXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISS55EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISS55EP06LMXTSA1
Descripción	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 180mA (Ta) 400mW (Ta) PG-SOT23-3-5
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISS55EP06LMXTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5Ohm a 180mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 11µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	18 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT23-3-5
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	ISS55EP06

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