Name: ISP75DP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP75DP06LMXTSA1TR-ND
Price: 0.6534 EUR
Availability: InStock

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ISP75DP06LMXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISP75DP06LMXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISP75DP06LMXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISP75DP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISP75DP06LMXTSA1
Descripción	MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISP75DP06LMXTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	750mOhm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 77µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	120 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	ISP75D

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