Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 1.1374 EUR
Availability: InStock

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ISK057N04LM6ATSA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISK057N04LM6ATSA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 39.1W (Tc) PG-VSON-6-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISK057N04LM6ATSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Ta), 64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.75mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	870 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 39.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-VSON-6-1
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerVDFN