Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 6.4856 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFET - Arreglos 40V 42H (Ta), 299H (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-WHITFN-10-1

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

ISG0613N04NM6HSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISG0613N04NM6HSCATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 42H (Ta), 299H (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-WHITFN-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.88mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 780µA
Serie OptiMOS™ 6	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6200pF a 20V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración 2 canales N (medio puente)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V	Paquete / Caja (carcasa) 10-PowerWDFN
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 42H (Ta), 299H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-WHITFN-10-1